6英寸單晶硅片
生產方法:線鋸切割
導電類型:P /N型
型號摻雜:P/N型摻硼、鎵/磷
晶向偏差:<100>±1°
位錯:無
電阻率:1~3Ω.cm
直徑:150±0.5mm
邊寬:125±0.5mm
片厚:200±20μm等
TTV:≤20μm
翹曲度:≤40μm
線痕:≤15μm
氧含量:≤1.0×1018 atom/cm3
體少子壽命:≥10μs
碳含量:≤5.0×1016 atom/cm3
外觀:無隱裂、無沾污等