工藝流程：上料→滴水保護→背刻→純水噴淋1→正刻→純水噴淋2→粗堿洗→純水噴淋3→精堿洗→純水噴淋4→酸洗→純水噴淋5→烘干→下料 

技術特點：

●背刻采用先進的防過刻膜保護技術和獨創的非連續式多重刻蝕技術，無刻蝕線產生。

●正刻、背刻副槽均采用高精度超聲波液位檢測儀，堿洗、HF酸洗副槽配液采用超聲波液位感應器監控，保證配液的精度±1%。刻副槽制冷采用新型結構的在線式制冷，保證工藝溫度的可控性。

●傳動采用編碼器測速反饋變頻器控制，保證傳動速度的穩定性。

●設備采用新型壓桿結構，降低硅片的破片率。

●硅片段間工藝槽表面采用新型的吸水輥結構及壓縮空氣風切的雙重切水方式，保證各段工藝的穩定性。

●設備主槽插件板及插件采用新型結構，保證設備傳動的平穩性及水平度。

●設備擁有硅片規正裝置，保證硅片從上料到下料的整齊度。

●設備噴淋管、風切管采用新型結構固定裝置，保證設備維護的方便性。

●設備內部所有槽采用雙層結構并配備有滴液檢測保護，杜絕化學品泄漏。每個觀察窗均有開門保護，一旦有違規開啟，設備立即報警。